|
Уважаемые
господа!
Предлагаем сотрудничество в
завершении разработки и реализации
способа получения кремния высокой
чистоты.
Способ основан на нетрадиционном
методе очистки технического кремния или
ферросилиция. В его основе лежат ранее
не изучавшиеся транспортные реакции с
использованием селективных реагентов-носителей
кремния. Для очистки исходного сырья
применяется реактор с градиентом
температур. Последующее разделение
кремния и реагента-носителя
осуществляют известными физико-химическими
методами. Таким образом,
технологический процесс получения
высокочистого кремния предусматривает:
- очистку технического кремния с
помощью реакций переноса;
- отделение очищенного кремния от
реагента-носителя.
Реакции переноса протекают в широком
интервале температур ниже 1200оС.
Извлечение кремния превышает 90% при
достаточно больших величинах
коэффициентов отделения примесей.
Разделение очищенного кремния и
реагента-носителя может быть
осуществлено физическими и (или)
химическими методами.
Отличительная особенность способа -
возможность многократного повторения
цикла очистки кремния и организация на
этой основе многоступенчатого процесса
в реакторе ректификационного типа.
Предлагаемый способ может быть применен
для первичной очистки технического
кремния (ферросилиция), или для
получения высокочистого "солнечного"
кремния.
Технологическая схема получения
высокочистого кремния
предусматривает циркуляцию
реагента-носителя. Она позволяет при
одноступенчатой очистке технического
кремния или ферросилиция получить
кремний чистотой выше 99,99 % как в
порошкообразном виде, так и в форме
слитка. Размер частиц кремния можно
регулировать в широких пределах - от 5
мкм до 250 мкм. Отдельные стадии
технологической схемы проверены в
лабораторных условиях.
В отличие от действующих технологий
получения кремния, в предлагаемой не
будут применяться токсичные и
взрывоопасные реагенты. Новая
технология получения высокочистого
кремния предполагает использование
реагентов общепромышленного назначения.
Затраты на производство 1 кг кремния не
превысят 10 дол.
США.
С предложением о сотрудничестве
обращаться по адресу: Россия 620016 г.Екатеринбург,
ул.Амундсена, 101, Институт металлургии
УрО РАН, лаборатория металлургии
цветных металлов, зав.лабораторией
Чумарев В.М., тел. 67-89-13, e-mail: pcmlab@sky.ru
|
Dear sirs!
We
offer cooperation in completion of development and realization of the way
allowing to obtain high-purity
silicon.
The
untraditional method is based on purifying of technical silicon or
ferrosilicon. The basis of the method is not studied earlier transport
reactions with participation of
selective reagents-carriers of silicon. To refine initial raw material the
reactor with a gradient of temperatures is applied. The subsequent
separation of silicon and reagent-carrier is carried out by known
physico-chemical methods. Thus, the technological process of obtained
high-purity silicon provides:
- purifying of technical silicon, using transport
reactions;
- separating of
the fine silicon from the reagent-carrier.
The transport reactions proceed in a wide
interval of temperatures below 1200оС. The extraction of
silicon exceeds 90 % with rather large sizes of separation coefficients of
impurities. The separation of the fine silicon and the reagent-carrier can
be realized by physical and (or) chemical methods.
Distinctive
feature of the
way is opportunity of the repeated recurrence of a purifying cycle
of the silicon and
organization on this basis of multistage process in the rectification
reactor. The proposed way may be applied for initial purification of
technical silicon (ferrosilicon) or production of
high-purity "solar" silicon.
The
technological circuit of obtained high-purity silicon provides circulation
of the reagent-carrier. It allows to obtain silicon of
purity above 99,99 % both in powder
and ingot form, using one-step purification of technical silicon or
ferrosilicon. The size of particles of silicon may be adjusted in the
range of from 5 up to 250 microns. The separate stages of the
technological circuit have been checked up in the laboratory conditions.
In distinction from working technologies of
silicon production there will not be applied poisonous and explosive
reagents. The new technology of high-purity silicon production assumes to
use known industrial reagents. The will not exceed 10 doll. of
USA for 1 kg of
silicon.
Please, submit proposals on
cooperation to address:
V.
M. Chumarev
Doct. Sci. (Eng.)
Head
of the Laboratory of Nonferrous Metals Pyrometallurgy
-------------------------------------------------------------
Institute
of Metallurgy
Ural
Division of Russian
Academy of Sciences
101,
Amundsen St., Ekaterinburg 620016, Russia
Tel.:
+7 3432 678913
Fax:
+7 3432 679186
|